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Rohm Semiconductor UMD6NTR
| Artikelnummer: | UMD6NTR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Rohm Semiconductor UMD6NTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments UMD6NTR.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse UMT6 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) - Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Leistung - max 150mW Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) - Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer UMD6 UMD6NTR Einzelheiten PDF [English] UMD6NTR PDF - EN.pdf -
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